英飞凌居林新厂区启航，马来西亚见证未来全球最大碳化硅功率半导体基地诞生

8月8日消息，英飞凌于今日迎来马来西亚居林第三厂区（Kulim 3）一期的正式启动，这一新阶段标志着该公司在碳化硅（SiC）功率半导体生产领域的进一步拓展。

除此之外，该厂区也将把发展目光投向氮化镓（GaN）外围晶圆技术，展现出英飞凌在先进半导体材料技术创新与规模化生产上的持续努力与承诺。

英飞凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建设计划，投资额达 20 亿美元（当前约 143.43 亿元人民币），可创造 900 个高价值工作岗位。

英飞凌此后又在 2023 年 8 月宣布了价值 50 亿美元（当前约 358.57 亿元人民币）的 Kulim 3 二期计划，目标到 2028 年将 Kulim 3 建设为全球最大、最高效的 8 英寸碳化硅功率半导体晶圆厂。

英飞凌表示其已获得约 50 亿欧元的新设计订单，以及来自现有和新客户的 10 亿欧元左右的预付款，用于 Kulim 3 的持续扩建。这些设计订单中有部分来自 6 家汽车 OEM 厂商。

英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：

碳化硅等创新技术的新一代功率半导体是实现去碳化和气候保护的绝对先决条件。我们的技术提高了电动汽车、太阳能和风能系统以及 AI 数据中心等无处不在的应用的能效。

因此我们在马来西亚投资建设规模最大、效率最高的高科技碳化硅生产设施，并以强有力的客户承诺作为后盾。

由于对半导体的需求将持续上升，在居林的投资对我们的客户极具吸引力，他们正通过预付款来支持这项投资。这也提高了绿色转型所需的关键部件供应链的弹性。

英飞凌革新半导体产业：首发12英寸GaN晶圆，实现效能飞跃与成本优化

9月12日消息，英飞凌科技公司宣布其已率先研发出全球首例基于300毫米（12英寸）直径的功率氮化镓（GaN）晶圆创新技术，此项成果标志着半导体行业在材料与制造工艺上的重大飞跃。

与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率和规模经济。

这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量，达到2.3倍，同时也有助于降低生产成本，使得氮化镓技术更加经济高效。

氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势，在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。

据悉，英飞凌将在2024年11月在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。

公司已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制造了300毫米GaN晶圆，并计划根据市场需求进一步扩大产能。

英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。”

英飞凌加大对英诺赛科GaN专利战，英诺赛科正面回应：胸有成竹，必赢官司

8月5日消息，英飞凌于7月23日在美采取法律行动，向加州北区地方法院递交了诉讼追加请求，指责英诺赛科侵犯其三项关乎氮化镓（GaN）技术的核心专利，此举无疑加剧了两家行业巨头在GaN技术领域的专利纠纷，引发了业界的广泛关注。

整理英飞凌与英诺赛科双方 GaN 专利诉讼时间线如下：

2024 年 3 月 14 日，英飞凌就英诺赛科侵犯英飞凌的一项与 GaN 相关的美国专利向美国加利福尼亚北区地方法院提起了初始诉讼，寻求永久禁令；

2024 年 6 月 4 日，英飞凌向德国慕尼黑地方法院对英诺赛科提起相应诉讼；

2024 年 6 月 12 日，德国慕尼黑地方法院发布一项初步禁令（法院指令），要求英诺赛科在 PCIM Europe 展位上移除与侵权案涉及专利有关的所有产品；

2024 年 7 月 23 日，英飞凌向美国加州北区地方法院追加诉讼请求；

2024 年 7 月 26 日，英飞凌向美国国际贸易委员会（USITC）起诉，就加州诉讼所涉的四项专利提出法律索赔。

针对英飞凌的系列指控，英诺赛科本月 3 日在官网发布回应公告，表示：

英诺赛科认为英飞凌的相关指控缺乏依据，其涉案专利不具备有效性，因此，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响。

就此，英诺赛科已采取相关法律措施应对英飞凌提起的无端指控，委托具有丰富经验的法律团队积极应诉，并将就其所有涉案专利提出专利无效申请。就英飞凌的 US 9,899,481 号专利，英诺赛科已于今年六月向美国专利及商标局提起无效请求 (IPR) 。英诺赛科有信心可以通过法律手段最终将其专利全部无效。

英诺赛科坚决反对任何非正常竞争手段，并有信心在本次诉讼中取得胜利。