三星被韩媒曝计划缩减High-NA EUV设备采购，并遭遇与ASML合作研发中心项目阻碍

近日消息，韩媒发布博文，三星电子正考虑缩减其在高级High-NA EUV（极紫外光刻）设备的采购规模，此举引发了业界关注。同时，三星与ASML合作建立的研发中心项目也被报道遭遇若干挑战，这可能对双方在尖端半导体制造技术领域的合作进度产生影响。

High-NA EUV技术对推动芯片制程微缩、提升半导体性能至关重要，因此三星的这一决策动向或将对全球半导体产业链带来一定波动。

三星于 2023 年 12 月和 ASML 签署了一份谅解备忘录（MOU），将在韩国首都圈建立一个 EUV 联合研究中心。

援引消息源报道，三星原本计划在未来 10 年内，采购 Twinscan EXE:5200、EXE:5400 和 EXE:5600 三款后续 Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，而最新报道称三星已经通知 ASML，不仅削减 Twinscan EXE:5000 系列 EUV 光刻机采购数量，而且后续仅采购 EXE:5200。

报道称这一决定是在副董事长 Jun Young-hyun 被任命为 DS（设备解决方案）部门的新负责人，并重新审查正在进行的项目和投资之后做出的。

一位熟悉情况的业内人士说：

在京畿道华城购买土地建造研究设施的过程以及设计和审批过程都在进行中，然而，随着三星决定减少设备引进，相关进程已完全停止。

联合研究中心是否会在其他地方建立，或者建立本身是否会被取消，将在今后的讨论中决定。

三星Exynos 2500芯片：硅电容加持，打造Galaxy S25系列手机的超紧凑高性能引擎

7月17日消息，据韩国媒体报道，在7月15日的最新爆料中，三星电子正筹划在其旗舰级Exynos 2500移动处理器中集成硅电容技术，此举有望显著提升芯片的稳定性和能效表现。

注：硅电容（Silicon Capacitor）通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 / 金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。

硅电容具有许多优点，让其成为集成电路中常用的元件之一：

首先，硅电容的制造成本较低，可以通过批量制造的方式大规模生产。

其次，硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单，易于加工和集成，硅电容的失效率较低。

此外，硅电容的尺寸小，占据空间少，适合集成电路的微型化和高密度集成。

报道指出三星电机（Samsung Electro-Mechanics）已开发出用于量产 Exynos 2500 芯片的测试设备，该芯片的前期量产工作已经就绪，即将开始量产。

三星计划在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+（有相关线索表明会被砍掉，目前无法确认）两款手机上使用 Exynos 2500 芯片。

三星 Exynos 2500 最近取得了突破性进展，至少目前流片的工程样品已经达到了 3.20GHz 高频，同时比苹果 A15 Bionic 更省电，将成为“迄今为止效率最高的芯片”。

三星曝光AR眼镜专利：革新设计，镜片与线圈精妙对齐实现无线充电

近日消息，据媒体报道，依据世界知识产权局于9月6日公布的文件，三星电子已成功获取了一项关于AR眼镜设备的无线充电技术专利，此发明有望为增强现实眼镜的续航解决方案开辟新方向。

草图展示了一个大型矩形箱式外壳，用户可以放置 AR 头显进行充电。

AR 头显的镜片需与充电盒内的圆形无线充电线圈对齐，从而实现无线充电。

由于目前该技术正处于专利申请阶段，尚无法确定公司是否会将其产品商业化，但从概念角度来看，这款设备确实颇具吸引力。